10/5/2023 6:03:32 AM
- صفحه اصلی
لایه نشانی
ساختار لایه
ضخامت سنجی
روشهای فیزیکی PVD
اسپاترینگ
روش MBE
تفنگ الکترونی
مقاومتی
روشهای شیمیاییCVD
CVD
MOCVD
PECVD
تمیزکاری نمونه
تمیزکاری چیست؟
آماده سازی داخلی
تمیزکاری شیشه
تمیزکاری ویفر سیلیکون
خلاء
پمپ های خلاء
پمپ روتاری
پمپ کرایوجنیک
پمپ توربومولکولار
پمپ دیفیوژن
فشارسنج خلاء
گیجهای یونی
گیج پیرانی
تاریخچه گیج خلاء
آنالیز
آنالیز پرتو باردار
برهمکنش الکترونی
میکروسکوپ الکترونی
میکروسکوپ TEM
SEM
آنالیز RBS
آنالیز SIMS
آنالیزپرتوایکس
آنالیز XRD
آنالیز XPS
آنالیزپرتو نور
آنالیزSpectrophotometery
آنالیزEllipsometer
میکروسکوپهای روبشی
درباره میکروسکوپهای SPM
میکروسکوپ روبشیAFM
میکروسکوپ روبشیSTM
میکروسکوپ روبشیSNOM
نرم افزارآنالیز
دانلود
فیلم آموزشی
فیلم در یوتیوب
کتاب
سایتهای مرتبط
معرفی کتب
کتب الکترونیکی
دانشگاههای ایران
سایتهای علمی
سمینارها
شرکتهای معتبر
شرکتهای معتبرداخلی
شرکت معتبر خارجی
لایه نشانی
شرکت اپتیکی
شرکت خلاء
ارتباط با ما
نظرات شما
فرم عضویت
ارسال فایل
درباره ما
Scanning tunnelling microscope
میکروسکوپ روبشي تونلي STM
در سال 1981Gred binnig و Heinrich Rohrer در آزمایشگاه تخصصی IBM در سوئیس، با استفاده از پدیده تونل زنی الکترونی، میکروسکوپی را ساختند که با آن می توان ابعاد اتمی را مشاهده نمود. به همین خاطر آنرا میکروسکوپ STM نام نهادند. آنها به خاطر این تلاش در سال 1986 جایزه نوبل را کسب نمودند.
همانند میکروسکوپ نیروی اتمی، STM نیز از یک نوک فلزی سوزنی برای روبش استفاده می کند. مطمئناً نوک سوزنی نمی تواند سطح نمونه را لمس کند ولی وقتی فاصله آن با سطح نمونه تقریباً به ابعاد اتمي(حدود 10 آنگستروم) برسد، مطابق شكل8، با اعمال ولتاژ بین نوک و نمونه، الکترون ها بر اساس پدیده تونل زنی از نمونه به اتم های نوک یا بالعکس، جریان می یابند و در این حال کامپیوتر سیگنال الکتریکی حاصل از پدیده تونل زنی را دریافت نموده و روبش به دو صورت مختلف انجام می شود:
1- در حالتی که مقدار جریان ثابت است، نوک سوزنی برای بالا و پایین رفتن تحریک می شود.
2- درحالتی که ارتفاع ثابت است روبش به سمت جلو و عقب انجام شده و متناسب با پستی و بلندی و همچنین ماهیت الکتریکی سطح، جریان تونلی تغییر نموده و سیگنال لازم برای بازسازی تصویر را به کامپیوتر می فرستد.
در شكل 8، چند نمونه از تصاوير STM لایه نقره که در شرایط مختلف دمایی به روش کندوپاش مغناطیسی انباشت شده و عملیات حرارتی روی آن انجام شده، نشان داده شده است.
شكل8:
تصوير شماتيك از ميكروسكوپ تونلي روبشي
شكل9)
تصاوير بدست آمده با دستگاه STM مربوط به سطح لايه نقره، راست) نمونه انباشتي در دماي زيرلايه 100، 200 و 300 درجه سانتي گراد چپ) نمونه بازپختي در دماي 100، 200 و 300 درجه سانتي گراد
محدودیت مهم میکروسکوپ های روبش تونلی، آن است که می بایست سطح نمونه و نوک سوزنی هر دو هادی و یا نیمه هادی باشند تا پدیده تونل زنی اتفاق افتد درحالی که از AFM برای مواد هادی، نیمه هادی و عایق می توان استفاده کرد.
منبع : کتاب مبانی لایه نشانی و آنالیز نانو ساختار تالیف آقای جهانبخش مشایخی، انتشارات مرکز نشر دانشگاهی
فیلم آموزشی در مورد میکروسکوپ روبشیSTM
«
فیلمها و مطالب آموزشی
آنالیزهای
سطح و
لایه نازک
برهم کنش بین ذرات باردار
با لا
یه نازک
برهم کنش بین
پرتو ایکس
با
لایه نازک
برهم کنش بین
پرتو نور
با لایه نازک
میکروسکوپ الکترونی
روبشی
SEM
میکروسکوپ الکترونی عبوری
TEM
میکروسکوپ پروبی روبشی
SPM
میکروسکوپ پروبی روبشی
AFM
میکروسکوپ روبشی تونلینگ
STM
آ
نالیز سطح و لایه به روش
SIMS
آ
نالیز
سطح و لایه به روش RBS
آنالیز
سطح و لایه به روش XRD
آنالیز
سطح و لایه به روش XPS
آ
نالیزطیفی به روش بیضی سنجی
آنالیز
طیفی به روش اسپکتروفتومتر
لایه نشانی و پارامترهای آن
ساختار تشکیل لایه
روش
تفنگ الکترونی E_Beam Gun
روش
تبخیر
مقاومتی Resistant Ev
روش
کندوپاش Sputtering
لایه نشانی به روش
لیرزی PLD
لایه نشانی به روش
MBE
لایه نشانی شیمیایی CVD
لایه نشانی شیمیایی
PECVD
لایه نشانی شیمیایی
MOCVD
درباره خلاء
پمپ روتاری Rotary Pump
پمپ توربومولکولارTurbomolecular
پمپ کرایوجنیک Cryojenic Pump
پمپ
دیفیوژن Diffusion Pump
تاریخچه فشارسنج های نخستین
فشارسنجهای محدوده خلاء پایین
فشارسنج یونی
کاتد سرد و گرم
کنترل ضخامت
ضخامت سنجی اپتیکی
ض
خامت سنجی کریستالی
QCM
منبع علمی: کتاب مبانی لایه نشانی و آنالیز نانوساختار تالیف آقای جهانبخش مشایخی کلیه حقوق مادی و معنوی متعلق به Thin film science می باشد.